Futuros dispositivos de almacenamiento de memoria podrían usar xenón gracias a experimento

Futuros dispositivos de almacenamiento de memoria podrían usar xenón gracias a experimento

Científicos suizos han propuesto y verificado experimentalmente el método de «transición de fase» controlada de átomos de xenón de sólido a líquido en los poros de una estructura supramolecular organometálica. La tecnología se puede utilizar en el desarrollo de dispositivos de almacenamiento a nivel molecular.

 

 

 

 

La cantidad de información digital está creciendo muy rápidamente en el mundo, por lo que los científicos e ingenieros están trabajando en la creación de sustancias y métodos para aumentar la capacidad de las memorias y reducir su tamaño físico.

 

 

 

Hay muchas formas de codificar y almacenar información en unidades de estado sólido, una de ellas se basa en diferentes transiciones de fase de una sustancia. Normalmente, para estos fines, se utilizan el estado amorfo y cristalino de los cristales de calcogenuro en combinación con germanio, antimonio y teluro.

 

 

 

 

Un grupo de investigadores dirigido por Thomas Jung de la Universidad de Basilea propuso un sistema para grabar información a nivel atómico. En este nuevo estudio, los físicos verificaron experimentalmente si es posible llevar a cabo una «transición de fase» controlada de xenón en celdas de los ensamblajes supramoleculares.

 

 

 

 

 

Para ello, colocaron átomos de xenón en los poros de la red y observaron su comportamiento cuando se calentaban y bajo la acción de impulsos eléctricos en una sola rejilla. El aumento de la temperatura se llevó a cabo lentamente (dos décimas de Kelvin por minuto) a 16 Kelvin. Ante una mayor temperatura, los átomos de xenón comienzan a saltar a las celdas vecinas, reseñó Nmas1.

 

 

 

 

 

 

GV

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