Un grupo de científicos de la Universidad Tecnológica de Eindhoven en Países Bajos ha descubierto un nuevo tipo dememoria magnética MRAM más rápida y con una mayor eficiencia energética que los ejemplos que habíamos visto hasta ahora.
La MRAM (Magnetic Random Access Memory), también conocida como memoria RAM magnetorresistiva o magnética, es un tipo de memoria no volátil cuyo desarrollo se inició en la década de los 90. Sin embargo, su uso no se ha extendido, en buena medida porque hasta ahora su demanda de energía era muy elevada, lo que ha impedido su aplicación a gran escala.
Estos investigadores han encontrado una solución al elevado consumo energético de la MRAM. A diferencia de la RAM convencional, en la MRAM los datos se almacenan mediante magnetismo, haciendo un uso inteligente de los movimientos de los electrones. Al no emplearse corriente eléctrica para guardar la información, la memoria es permanente y se puede acceder incluso cuando se ha producido un fallo de potencia o el ordenador está apagado.
Hasta ahora, en la memoria magnética los bits se proyectaban según la dirección del movimiento de los electrones en una pieza de material magnético, por ejemplo hacia arriba para un 1 y hacia abajo para un 0. El almacenamiento de datos se producía al dirigir los electrones hacia el lado correcto, para lo que se enviaba una corriente eléctrica, una acción que disparaba el consumo energético.
Para solucionar este problema, el nuevo enfoque envía una corriente debajo del bit, lo que permite que los electrones se dirijan hacia el lado correcto sin necesidad de aplicar electricidad adicional. Gracias a este nuevo concepto, la MRAM es más rápida y consume mucha menos energía, por lo que sería posible utilizarla en smartphones y otros dispositivos móviles, ya que podrían funcionar sin problema con la batería.
«Este descubrimiento podría ser el empujón decisivo en la dirección correcta para tener una MRAM súper rápida en un futuro cercano», asegura Arno Van den Brink, director de la investigación.
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